HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14537-320

HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14537-320 详细参数 受光面 28 × 28 mm 芯片厚度 320 ± 15 μm 非感光层厚度(正面) 1.5 μm 非感光层厚度(背面) 20 μm 满耗电压最大值 100 V 暗电流最大值 50 nA 截止频率 8 MHz 结电容 300 pF   0755 84689265 手机/微信:18320955412  QQ:2423332841  邮箱:2423332841@qq.com
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HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S14537-320

详细参数

受光面

28 × 28 mm

芯片厚度

320 ± 15 μm

非感光层厚度(正面)

1.5 μm

非感光层厚度(背面)

20 μm

满耗电压最大值

100 V

暗电流最大值

50 nA

截止频率

8 MHz

结电容

300 pF

 

0755 84689265 手机/微信:18320955412  QQ:2423332841  邮箱:2423332841@qq.com