HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11142-10
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11142-10 详细参数 受光面 14 x 14 mm 像元数 4 封装 陶瓷 入射电子能范围（典型值） 1 至 30 keV 电子倍增系数（典型值） 300 反向电压（最大值） 20 V 暗电流（最大值） 60000 pA 截止频率（典型值） 5 MHz 结电容（典型值） 200 pF 测量条件 Ta = 25°C，VR = 5V 0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com...
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描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11142-10
详细参数
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受光面 |
14 x 14 mm |
|
像元数 |
4 |
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封装 |
陶瓷 |
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入射电子能范围（典型值） |
1 至 30 keV |
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电子倍增系数（典型值） |
300 |
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反向电压（最大值） |
20 V |
|
暗电流（最大值） |
60000 pA |
|
截止频率（典型值） |
5 MHz |
|
结电容（典型值） |
200 pF |
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测量条件 |
Ta = 25°C，VR = 5V |
0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com
