HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11141-10
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11141-10 详细参数 受光面 10 x 10 mm 像元数 1 封装 陶瓷 入射电子能范围（典型值） 1 至 30 keV 电子倍增系数（典型值） 300 反向电压（最大值） 20 V 暗电流（最大值） 60000 pA 截止频率（典型值） 2.5 MHz 结电容（典型值） 450 pF 测量条件 Ta = 25°C，VR = 5V 0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com...
分类：
分享
描述
HAMAMATSU滨松 硅光电二极管 S11141-10
详细参数
|
受光面 |
10 x 10 mm |
|
像元数 |
1 |
|
封装 |
陶瓷 |
|
入射电子能范围（典型值） |
1 至 30 keV |
|
电子倍增系数（典型值） |
300 |
|
反向电压（最大值） |
20 V |
|
暗电流（最大值） |
60000 pA |
|
截止频率（典型值） |
2.5 MHz |
|
结电容（典型值） |
450 pF |
|
测量条件 |
Ta = 25°C，VR = 5V |
0755 84689265 手机/微信：18320955412 QQ：2423332841 邮箱:2423332841@qq.com
